[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明提供了防止驱动电压增加并且整体上具有低穿透位错密度的第III族氮化物半导体发光器件。发光器件包括浮凸衬底。衬底在其主表面上具有以小间距布置有突起的第一区和以大间距布置有突起的第二区。第二区对应于p焊盘电极和n焊盘电极的通过衬底的主表面观察时的投影区域。第一区对应于既没有形成p焊盘电极也没有形成n焊盘电极的区域的通过衬底的主表面观察时的投影区域。

主权项

一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：具有浮凸主表面的衬底；形成在所述衬底的所述主表面上的第III族氮化物半导体层；以及电传导至所述第III族氮化物半导体层的不透明电极，其中，所述衬底为化学组成不同于所述第III族氮化物半导体层的化学组成的异质衬底，所述异质衬底具有包括多个突起的第一区，以及包括以比所述第一区中的所述突起的间距大的间距布置的多个突起的第二区，所述第二区具有包括在如下区域内的周界：该区域通过位于从每个所述不透明电极中的通过所述异质衬底的所述主表面观察时的投影区域的周界朝外6μm或更小的区域周界来限定，并且还通过位于从所述投影区域的所述周界朝内6μm或更小的区域周界来限定；并且在所述第二区中，位于距所述第一区与所述第二区之间的边界较远的突起以较大的间距布置。