[发明专利]高压半导体元件有效
| 申请号： | 201410383690.3 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105336780B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林正基;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压半导体元件。高压半导体元件包括一P型基板、一高压N型阱(HVNW)、一第一P型阱、一漂移区(drift region)以及一P型掺杂层。高压N型阱形成于P型基板中。第一P型阱形成于高压N型阱中，第一P型阱的一底部相距P型基板的一表面具有一第一深度。漂移区形成于高压N型阱中，其中漂移区是自P型基板的表面向下延伸。P型掺杂层形成于P型基板中，P型掺杂层的一底部相距P型基板的表面具有一第二深度，其中第二深度大于第一深度，且P型掺杂层形成于位于第一P型阱和漂移区之下的一区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体元件，包括：一P型基板；一高压N型阱(HVNW)，形成于该P型基板中；一第一P型阱，形成于该高压N型阱中，该第一P型阱的一底部相距该P型基板的一表面具有一第一深度，该第一深度小于该高压N型阱底部的深度；一漂移区(drift region)，形成于该高压N型阱中，其中该漂移区是自该P型基板的该表面向下延伸；以及一P型掺杂层，形成于该P型基板中，该P型掺杂层的一底部相距该P型基板的该表面具有一第二深度，其中该第二深度大于该第一深度，且该P型掺杂层形成于位于该第一P型阱和该漂移区之下的一区域中，该P型掺杂层不与该第一P型阱直接接触。
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