[发明专利]一种热盘工艺腔气流均布装置有效
申请号: | 201410384050.4 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN105336644B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 王丽鹤 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及晶圆在热盘工艺时气流分布装置,具体地说是一种热盘工艺腔气流均布装置,加热盘体安装在下密封盘体内,加热盘体与下密封盘体内壁之间容置有均流管,均流管与安装在下密封盘体上的排气管相连通,且均流管上沿周向均布有多个气孔;加热盘体的下方设有可升降的顶针机构,顶针机构穿过加热盘体、支撑晶圆;下密封盘体顶端密封连接有可升降的上盖,晶圆位于上盖与加热盘体之间,上盖和加热盘体与下密封盘体内壁之间形成工艺腔室;气体由上盖上设置的进气口进入工艺腔室内,通过均流管上各气孔进入均流管内,经排气管上的排气口排出。本发明形成的工艺腔室,内部气流均匀分布于晶圆表面然后排出腔室,实现了工艺腔室内气流均布的目的。 | ||
搜索关键词: | 加热盘体 均流管 工艺腔 上盖 晶圆 热盘 气流均布装置 顶针机构 工艺腔室 盘体内壁 可升降 密封盘 排气管 下密封 进气口 气流分布装置 下密封盘体 顶端密封 晶圆表面 排出腔室 排气口排 气流均匀 室内气流 周向均布 均布 容置 体内 穿过 室内 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种热盘工艺腔气流均布装置,其特征在于:包括上盖(1)、加热盘体(3)、均流管(4)、下密封盘体(6)及顶针机构(7),其中加热盘体(3)安装在下密封盘体(6)内,所述加热盘体(3)与下密封盘体(6)内壁之间容置有所述均流管(4),该均流管(4)与安装在所述下密封盘体(6)上的排气管(15)相连通,且所述均流管(4)上沿周向均布有多个气孔(9);所述加热盘体(3)的下方设有可升降的顶针机构(7),该顶针机构(7)穿过所述加热盘体(3)、支撑晶圆(2);所述下密封盘体(6)顶端密封连接有可升降的上盖(1),所述晶圆(2)位于该上盖(1)与加热盘体(3)之间,所述上盖(1)和加热盘体(3)与下密封盘体(6)内壁之间形成工艺腔室(a);气体由所述上盖(1)上设置的进气口(I)进入所述工艺腔室(a)内,通过所述均流管(4)上各气孔(9)进入均流管(4)内,经所述排气管(15)上的排气口(II)排出;所述均流管(4)为圆环状,其上表面沿圆周方向均布有多个气孔(9),下表面沿圆周方向均布有多个与所述排气管(15)相连通的总排气孔(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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