[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410384134.8 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105336770A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈振;王敏;周名兵 | 申请（专利权）人： | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/36;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法。该外延结构包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长有AlN成核层、AlGaN缓冲层、Al掺杂GaN模板层和AlGaN势垒层。本发明通过在制造氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构时，利用Al掺杂形成GaN模板层的方法，能够降低材料的位错密度，改善界面的平整度，提高材料的电子迁移率，减少异质外延AlGaN势垒层表面态密度，进而降低了器件的漏电流，提高了器件的击穿电压且工艺简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底层，在该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、模板层和势垒层，其中：所述成核层为AlN；所述缓冲层为AlGaN；所述模板层为Al掺杂GaN；所述势垒层为AlGaN。
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