[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201410384418.7 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104167365A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 赵磊;郭炜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中，该金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形。本发明的技术方案能够简化金属氧化物薄膜晶体管的制作工艺，降低金属氧化物薄膜晶体管的制造成本，同时提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性及良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410384418.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蚀刻装置
- 下一篇：金属栅工艺中金属的填充方法及其设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
