[发明专利]具有交错的控制结构的三维阵列存储器装置

摘要

本发明公开了一种具有交错的控制结构的三维阵列存储器装置，其包括基底上半导体材料条纹的多个第一叠层与多个第二叠层。基底上这些栅材料条纹的第二叠层与这些第一叠层交错并具有共平面。这些第二叠层配置为这些第一叠层的多个栅极。多个第一字线正交在这些第一叠层上，并具有与这些第一叠层共形的表面，使得一存储器元件的三维阵列建立在这些第一叠层的表面与这些字线之间的交叉点处。

主权项

1.一种存储器装置，包括：一三维垂直栅NAND阵列，包括多个阶层，这些阶层各包括多个NAND串行，这些NAND串行于一个末端上具有一第一开关，并于一相反末端上具有一第二开关，该第一开关连接该串行至一共享的源极结构，该第二开关连接该串行至一对应的位线；多个阶层选择栅线，于该NAND阵列的多个分别阶层中，其中这些阶层选择栅线中的这些阶层选择栅线连接至该NAND阵列的这些分别阶层中这些NAND串行的这些第二开关；以及一区块选择栅线，连接至这些阶层中这些NAND串行的这些第一开关。