[发明专利]一种半导体发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410386154.9 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104157765B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 许顺成;何鹏;付宏威 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 | 代理人： | 欧颖 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明的第一目的在于提供一种与现有的LED芯片相比较亮度高、电压低以及逆向电压和漏电特性更优的半导体发光器件，具体结构包括形成具有凸形台面的氮化物半导体结构的n型氮化物半导体层、p型氮化物半导体层等；凸形台面包括第一上表面、侧表面以及第二上表面；第一上表面、侧表面以及第二上表面上均设有电流阻挡钝化层；第一上表面以及其正上方的电流阻挡钝化层的上表面上均设有透明导电层；或者第一上表面上还设有电流阻挡图案层，电流阻挡图案层、第一上表面以及其正上方的电流阻挡钝化层的上表面上均设有透明导电层。本发明的第二目的在于公开一种上述半导体发光器件的制作方法，包括四道工序，生产周期短，大大降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，其特征在于：包括衬底(1)、缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、有源层(4)、p型氮化物半导体层(5)、P型电极以及N型电极(7)；所述衬底(1)、缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、有源层(4)以及p型氮化物半导体层(5)形成具有凸形台面(01)的氮化物半导体结构；所述凸形台面(01)包括第一上表面(011)、侧表面(012)以及第二上表面(013)，所述第一上表面(011)的两端分别设有由所述侧表面(012)以及所述第二上表面(013)形成的L形表面；所述第一上表面(011)、侧表面(012)以及第二上表面(013)上均设有电流阻挡钝化层(8)；所述第一上表面(011)以及位于其正上方的所述电流阻挡钝化层(8)的上表面上均设有透明导电层(9)；所述P型电极包括P型焊盘(61)以及P型线电极(62)，所述P型焊盘(61)的下端设置在所述第一上表面(011)上，所述P型线电极(62)的下端设置在所述透明导电层(9)上，且其正下方设有所述电流阻挡钝化层(8)；所述N型电极(7)的下端设置在所述第二上表面(013)上；或者所述第一上表面(011)上还设有电流阻挡图案层(8’)，所述电流阻挡图案层(8’)、第一上表面(011)以及位于所述第一上表面(011)正上方的所述电流阻挡钝化层(8)的上表面上均设有透明导电层(9)。
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