[发明专利]一种具有接触结构的太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201410386279.1 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104465801A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 斯德范·斯德克梅兹 | 申请（专利权）人： | 太阳世界工业萨克森有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池(100)，其具有硅衬底(110)，所述硅衬底具有掺杂的发射极区域(112)，在所述发射极区域上布置有接触结构，所述接触结构具有多个线状的接触指(132、133、134)，其中，所述接触指(132、133、134)之间的间距变化并且适应在所述发射极区域(112)的面上变化的掺杂型廓。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 接触 结构 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池(100)，其具有硅衬底(110)，所述硅衬底具有掺杂的发射极区域(112)，在所述发射极区域上布置有接触结构，所述接触结构具有多个线状的接触指(132、133、134)，其中，所述发射极区域(112)的掺杂度从所述硅衬底的边缘区域朝向所述硅衬底的中心降低，从而发射极层电阻从所述硅衬底的边缘区域朝向所述硅衬底的中心升高，并且其中，所述接触指(132、133、134)之间的间距适应变化的发射极层电阻并且在所述发射极区域(112)的面上变化，其中，所述接触指(132、133、134)在所述掺杂的硅衬底(110)的中心区域(105)内的间距小于在所述边缘区域(104)内的间距。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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