[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

提供半导体装置的制造方法，能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下，还原被接合构件及焊接材料，得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括：将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛，并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序；以及在加热工序之后保持于接合温度，并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：将包含至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在所述准备工序之后对所述减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在所述一次减压工序之后将所述减压炉内设定为负压的氢气氛，并对所述金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在所述热线式加热工序之后将所述减压炉内设定为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使所述焊接材料熔融的加热工序；以及在所述加热工序之后，在保持于接合温度的状态下，将所述减压炉内的气氛再次设定为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。