[发明专利]一种形成金属互连结构的方法有效
| 申请号： | 201410386315.4 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105336679B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 曹均助;杨俊;邵群;刘洪涛;钱志刚;刘浩;胡宗福 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成金属互连结构的方法，包括：提供半导体衬底以及低K介电层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层，所述低K介电层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层中形成有沟槽，所述沟槽中和所述金属硬掩膜层上形成有扩散阻挡层和金属层；执行第一化学机械研磨以去除所述沟槽外的金属层，并停止于所述扩散阻挡层；执行第二化学机械研磨以去除所述沟槽外的扩散阻挡层，并停止于所述金属硬掩膜层；刻蚀去除所述金属硬掩膜层，以露出所述氧化物硬掩膜层；执行第三化学机械研磨以去除所述氧化物硬掩膜层，形成所述金属互连结构。本发明的形成金属互连结构的方法减小了最终研磨得到的晶圆表面的不同位置处的厚度差异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 金属 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属互连结构的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底以及依次形成于所述半导体衬底上的低K介电层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层，所述低K介电层、所述氧化物硬掩膜层和所述金属硬掩膜层中形成有用于形成所述金属互连结构的沟槽，所述沟槽中和所述金属硬掩膜层上依次形成有扩散阻挡层和金属层；步骤S2：执行第一化学机械研磨以去除所述沟槽外的金属层，并停止于所述扩散阻挡层；步骤S3：执行第二化学机械研磨以去除所述沟槽外的扩散阻挡层，并停止于所述金属硬掩膜层；步骤S4：刻蚀去除所述金属硬掩膜层，以露出所述氧化物硬掩膜层；步骤S5：执行第三化学机械研磨以去除所述氧化物硬掩膜层，形成所述金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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