[发明专利]真空管、包括这样的真空管的断路器极、及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410386519.8 申请日: 2014-08-07
公开(公告)号: CN104347308B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: D.查佩尔;M.哈桑扎德 申请(专利权)人: 施耐德电器工业公司
主分类号: H01H33/66 分类号: H01H33/66;H01H11/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 郝娟君
地址: 法国吕埃*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种真空管(1),其包括密封室(4)和相对彼此移动的两个电触头(7、7'),其中所述室(4)包括筒状体(5),其由介电材料制成并且通过两个金属盖(6、6')在其端部封闭,其中这些盖(6、6')中的每个连接至电触头(7、7')之一,其中所述真空管(1)还包括覆盖所述室(4)外表面的介电涂层(12),其中该涂层(12)包括至少两层,即包覆成型层和中间层(13),中间层(13)是不连续的,并且定位于所述室(4)的金属部分上,以便至少部分地覆盖这些金属部分(6、6')的外表面,其中所述中间层(13)的硅树脂包括空心体,其中这些空心体是可压缩的,并且具有由热塑性材料制成的外层。
搜索关键词: 真空管 包括 这样 断路器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种真空管(1),其包括密封室(4)和相对彼此移动的两个电触头(7、7'),其中所述室(4)包括筒状体(5),其由介电材料制成并且通过两个金属盖(6、6')在其端部封闭,其中这些盖(6、6')中的每个连接至电触头(7、7')之一,其中所述真空管(1)还包括覆盖所述室(4)外表面的介电涂层(12),其中该涂层(12)包括至少两层,即由合成材料制成的称为包覆成型层(14)的第一层和由硅树脂制成的称为中间层(13)的第二层,其中所述中间层(13)介于所述室(4)的外表面与包覆成型层(14)之间,其特征在于,中间层(13)是不连续的,并且定位于所述室(4)的金属盖(6、6')上并且与所述金属盖(6、6')直接接触,以便至少部分地覆盖这些金属盖(6、6')的外表面,其中所述中间层(13)的硅树脂包括空心体,其中这些空心体是可压缩的,并且具有由热塑性材料制成的外层。
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