[发明专利]氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备方法

摘要

本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。

主权项

一种基于氮化镓盖帽层掩模的自停止凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：1)在氮化镓基材料的表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；2)在氮化镓基材料的表面涂敷光刻胶，并光刻凹槽栅区域图形；3)刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；该步骤将需要氧化的区域即待做凹槽栅区域裸露出来，将不需要氧化的区域用氮化镓盖帽层保护起来；4)以氮化镓盖帽层为掩模，对氮化镓基材料表面的待做凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理；5)将氧化处理后的氮化镓基材料表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，以去除氧化物；该腐蚀性溶液对氮化镓基材料中的氮化镓层和氮化镓盖帽层没有影响，从而实现自停止刻蚀凹槽栅结构；6)对氮化镓基材料的表面淀积栅绝缘层；7)在栅绝缘层上涂敷光刻胶并光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；8)制备栅金属。