[发明专利]半导体器件的鳍结构有效
| 申请号： | 201410387026.6 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104733529B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈彦友;陈弘耀;施启元;叶凌彦;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍结构 晶格常数 垂直 半导体材料 半导体器件 鳍式场效应晶体管 栅极结构 衬底 顶面 覆盖 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：包括主要表面的衬底；从所述主要表面突出的鳍结构，所述鳍结构包括：上部，包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，所述上部包括具有第一宽度的第一垂直部分和位于所述第一垂直部分上方的具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二垂直部分，其中，所述上部还包括位于所述第一垂直部分和所述第二垂直部分之间的第一锥形部分；以及下部，包括具有小于所述第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，所述下部的顶面具有小于所述第一宽度的第三宽度；以及覆盖所述第二垂直部分的栅极结构。
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