[发明专利]薄膜传感器阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201410387173.3 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104165920A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 何宇廷;侯波;崔荣洪;安涛;伍黎明;杜金强 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军空军工程大学 |
| 主分类号： | G01N27/60 | 分类号： | G01N27/60 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜传感器阵列，其特征在于，由若干同心的环状薄膜传感器组成，组成的薄膜传感器阵列覆盖整个监测区域，所述环状薄膜传感器主要包括三层厚度均在微米量级的结构，从下至上依次为：绝缘支撑层、导电传感层和封装保护层，其中，所述绝缘支撑层形成于基体表面并与基体呈一体化结构，所述导电传感层呈环形。本发明的有益之处在于：在裂纹萌生、扩展阶段能够较为精确的对与金属结构一体化的薄膜传感器阵列进行电位监测，实现了对结构疲劳裂纹扩展的全过程进行定量和实时监测；易于与金属结构实现一体化设计与集成，可广泛应用于典型金属结构的实时监测中；敏感度高，监测精度可调，监测范围广，功耗低，无需信号转换，综合效费比高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
薄膜传感器阵列，其特征在于，由若干个同心的环状薄膜传感器组成，组成的薄膜传感器阵列覆盖整个监测区域，所述环状薄膜传感器主要包括三层结构，从下至上依次为：采用绝缘支撑材料制备而成的绝缘支撑层(1)、采用导电传感材料制备而成的导电传感层(2)、以及采用封装保护材料制备而成的封装保护层(3)，所述绝缘支撑层(1)、导电传感层(2)和封装保护层(3)的厚度均在微米量级，其中，所述绝缘支撑层(1)形成于基体表面并与基体呈一体化结构，所述导电传感层(2)呈环形，环形的宽度即为对应的环状薄膜传感器的宽度。
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