[发明专利]氮化硅薄膜及MIM电容的制作方法有效
| 申请号： | 201410387498.1 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105336574B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 雷天飞;秦仁刚 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上采用等离子增强型化学气相沉积法分两步沉积氮化硅薄膜，包括：步骤一、预沉积，所述预沉积具有较低的沉积速率；步骤二、进行主沉积直到达到氮化硅薄膜的预定厚度，所述主沉积具有较高的沉积速率。本发明还提供一种MIM电容的制作方法，其采用上述方法制作氮化硅薄膜作为电容绝缘层。采用本发明的方法，沉积的氮化硅薄膜的致密性高，降低了氮化硅薄膜中空洞出现的几率，显著提高击穿电压，并降低漏电电流，进而提高器件的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 mim 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上采用等离子增强型化学气相沉积法分两步沉积氮化硅薄膜，包括：步骤一、预沉积，所述预沉积具有较低的沉积速率；步骤二、进行主沉积直到达到氮化硅薄膜的预定厚度，所述主沉积具有较高的沉积速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
