[发明专利]半固态铝硅合金流变压铸件无泡热处理方法

摘要

本发明公开一种半固态铝硅合金流变压铸件无泡热处理强化工艺，该工艺包括如下步骤熔炼、制备半固态浆料、流变压铸、铸件淬火、人工时效处理。本发明所述工艺中没有经过高温固溶处理，只经过人工时效处理，所以根据本发明所述工艺制得的铸件无需担心产生气泡，大大降低产品的报废率；本发明所述的工艺制得铸件的本体力学性能，与现有技术的高温固溶加人工时效热处理工艺相比，同样也能达到要求；同时本发明所述的工艺对压铸机要求不高，使用国产品牌压铸机进行半固态流变压铸的铸件力学性能也能达到要求。

主权项

一种半固态铝硅合金流变压铸件无泡热处理方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)熔炼：将铝硅合金锭、纯镁锭熔化至液态，温度控制在680～720℃，再进行精炼，精炼时，使用惰性气体进行除气，并加入造渣剂进行除渣，再加入变质剂Al‑10％Ce得到熔炼铝硅合金；(2)制备半固态浆料：将步骤(1)得到的熔炼铝硅合金温度降至610～640℃并保温，搅拌状态下制备半固态浆料，该浆料温度控制在600～615℃之间；(3)流变压铸：将步骤(2)得到的半固态浆料直接流变压铸成特定规格的铸件；(4)铸件淬火：步骤(3)结束后，在1～5秒钟内将所述铸件置于冷水中冷却，水温控制在20～50℃之间；(5)人工时效处理：将步骤(4)得到的铸件加热到时效温度170～190℃，时效保温时间6～9小时后放在空气中冷却；其中，步骤(1)中铝硅合金锭为ZL101A或ZL114A，当为ZL101A时，所得的熔炼铝硅合金中Mg含量为0.40～0.50％；当为ZL114A时，所得的熔炼铝硅合金中Mg含量为0.65～0.75％；其中，所述步骤(1)所述的熔炼铝硅合金中Ce含量在0.2～0.4％；其中，步骤(1)中所述的Al‑10％Ce的铝铈合金为块状，用托板托住合金浸入炉内进行熔化，熔化1小时后才可以进行步骤(2)制备半固态浆料。