[发明专利]石墨烯纳米带及其制备方法在审
申请号: | 201410388684.7 | 申请日: | 2014-08-09 |
公开(公告)号: | CN104250004A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 闵永刚;范天举;宋建军;刘屹东 | 申请(专利权)人: | 南京新月材料科技有限公司;盐城增材科技有限公司;鑫月华科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 210038 江苏省南京市栖霞*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于石墨烯材料技术领域,具体涉及一种石墨烯纳米带及其制备方法。石墨烯纳米带的导电率为112S/cm~500S/cm,比表面积为312m2/g~700m2/g,密度为0.4g/cm-3~1.2g/cm-3,长度为200nm~50μm,制备此石墨烯纳米带的技术方案为:将一定浓度的氧化石墨烯溶液迅速冷冻固化,使氧化石墨烯折叠收缩形成带状结构,再进行冷冻干燥,即为氧化石墨烯纳米带,最后将其经还原处理得到石墨烯纳米带。本发明制备的石墨烯纳米带可广泛应用于导热复合材料、储能材料、吸附材料、超级电容器电极材料等领域,并且制备石墨烯纳米带的方法简单,成本较低,有望实现石墨烯纳米带的大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 石墨 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯纳米带,石墨烯纳米带的导电率112 S/cm ~500 S/cm,比表面积312m2/g ~700 m2/g,密度0.4 g/cm‑3~1.2 g/cm‑3,比电容范围为120F/g~200 F/g。
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