[发明专利]具有结构补偿区域的多层共烧陶瓷电路基板及多层基板的制作方法有效
| 申请号： | 201410389574.2 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104135821B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 岳帅旗;刘志辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18;H05K1/02;H05K3/46 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 610036 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有结构补偿区域的多层共烧陶瓷电路基板及多层共烧陶瓷电路基板的制作方法，在各层生瓷上的基础上设置结构补偿区域，在结构补偿区域中设有导体通孔，或设有导体图形。通过在结构补偿区域布置合理的导体图形和通孔，实现对产品结构的补偿设计。避免多层共烧陶瓷电路基板可能出现的翘曲情况，实现该区域与电路基板区域在收缩率和收缩特性上的一致，抑制由于收缩差异而导致的基板翘曲，提高基板的平整度。本结构及方法，加工实现过程无需额外的工装夹具，使用该方法能够有效提升多层共烧陶瓷电路基板的平整度。翘曲度是衡量基板平整度的直接指标，使用方法的多层共烧陶瓷电路基板的翘曲度可达到0.1％以下，显著优于国内行业水平的0.3％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 补偿 区域 多层 陶瓷 路基 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有结构补偿区域的多层共烧陶瓷电路基板，包括根据设计图纸制作的各层生瓷的导体通孔、导体图形和腔体；其特征在于：在电路基板区域的外围设置宽度范围为0.2～15mm的结构补偿区域，在结构补偿区域中均匀布置补偿导体通孔或补偿导体图形；所述导体通孔的孔径为0.05mm～0.5mm，导体通孔的中心间距为2～10倍通孔的孔径；所述导体图形的填充率为电路基板区域导体图形填充率的0.2～5倍。
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