[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410389718.4 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104425552B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 郑障均;李树雄;韩和东;金会龙;姜京润;张玄洙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及一种显示装置及其制造方法,该显示装置包括基板,该基板包括显示区域和非显示区域,其中,非显示区域包括选通金属线,该选通金属线位于基板上;栅绝缘层,该栅绝缘层使选通金属线绝缘;数据金属线,该数据金属线位于栅绝缘层上;以及两个或更多个保护层,所述至少两个保护层位于选通金属线和数据金属线交叠的区域中,位于数据金属线上方。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置,所述显示装置包括基板,所述基板包括显示区域和非显示区域,其中,所述非显示区域包括:选通金属线,所述选通金属线位于所述基板上;栅绝缘层,所述栅绝缘层使所述选通金属线绝缘;数据金属线,所述数据金属线位于所述栅绝缘层上;以及至少两个保护层,所述至少两个保护层位于所述选通金属线和所述数据金属线交叠的区域中,位于所述数据金属线上方,其中,所述显示区域包括:薄膜晶体管TFT,所述TFT位于所述基板上;钝化层,所述钝化层位于所述TFT上;第一电极,所述第一电极位于所述钝化层上;外覆层,所述外覆层位于所述钝化层与所述第一电极之间;堤层,所述堤层使所述第一电极暴露,位于所述外覆层上;发光层,所述发光层位于所述暴露的第一电极上;以及第二电极,所述第二电极位于所述发光层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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