[发明专利]一种混合键合方法在审
| 申请号： | 201410389773.3 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104167372A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 梅绍宁;程卫华;陈俊;朱继锋 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种混合键合方法，所述方法包括：提供两片需要进行键合的硅片，每片所述硅片的键合界面上既包含金属又包含绝缘物；将所述两片硅片的键合界面对准后对该两片硅片进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行所述键合工艺和热退火工艺的过程中，将环境温度控制在200℃以上，同时在两片硅片上各施加一大小相等方向相反并均指向所述键合界面的压力，所述压力为1000牛以上。通过本发明方法可以减小键合界面的变形程度，使晶圆在键合界面上的平整度得以提高，有效避免了界面错位情况的发生，提高了混合键合的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 方法 | ||
【主权项】：
一种混合键合方法，其特征在于，所述方法包括：提供两片需要进行键合的硅片，每片所述硅片的键合界面上既包含金属又包含绝缘物；将所述两片硅片的键合界面对准后对该两片硅片进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行所述键合工艺和热退火工艺的过程中，将环境温度控制在200℃以上，同时在两片硅片上各施加一大小相等方向相反并均指向所述键合界面的压力，所述压力为1000牛以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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