[发明专利]高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法

摘要

提供一种高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法。一种高电压半导体开关，包括第一场效应晶体管，其具有源极、漏极和栅极，并且适于以额定高电压水平切换电压，该第一场效应晶体管是常关断型增强模式晶体管；第二场效应晶体管，其有源极、漏极和栅极，其与该第一场效应晶体管串联连接，该第二场效应晶体管是常导通型耗尽模式晶体管；以及控制单元，其连接至该第一场效应晶体管的漏极和该第二场效应晶体管的栅极，并且可操作用于在跨第一场效应晶体管的漏极‑源极电压超过额定高电压水平的情况下阻断该第二场效应晶体管。

主权项

一种高电压半导体开关，包括：第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管具有源极、漏极和栅极，并且被适配为以额定高电压水平切换电压，其中所述第一场效应晶体管是常关断型的增强模式晶体管；第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管有源极、漏极和栅极，与所述第一场效应晶体管串联连接，其中所述第二场效应晶体管是常导通型的耗尽模式晶体管；以及控制单元，所述控制单元连接至所述第一场效应晶体管的所述漏极和所述第二场效应晶体管的所述栅极，并且可操作用于如果跨所述第一场效应晶体管的漏极‑源极电压超过所述额定高电压水平时阻断所述第二场效应晶体管。