[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，通过在硬掩膜层的浅沟槽图案侧壁形成侧墙，扩大了浅沟槽填充的工艺窗口，保证了半导体衬底表面延伸的浅沟槽隔离结构的距离以及后续浅沟槽隔离结构的圆角工艺效果；同时利用浅沟槽隔离结构的介质密度小于侧墙的介质密度，在后续硬掩膜层去除工艺以及栅极刻蚀工艺过程中，使用侧墙很好的反向保护浅沟槽隔离结构与半导体衬底接触位置的结构，避免浅沟槽隔离结构与半导体衬底表面接触的位置出现凹坑缺陷。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体衬底上形成具有浅沟槽图案的硬掩膜层；在所述硬掩膜层的浅沟槽图案的侧壁形成具有第一介质密度的侧墙；以硬掩膜层和侧墙为掩膜层，刻蚀所述半导体衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽中填充具有第二介质密度的绝缘介质，所述第二介质密度不大于所述第一介质密度；去除所述硬掩膜层，形成浅沟槽隔离结构。