[发明专利]一种纳米石墨电极在审
申请号: | 201410391904.1 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104177127A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 陈照峰;聂丽丽 | 申请(专利权)人: | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/52 | 分类号: | C04B41/52 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 215400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种纳米石墨电极,由实心的石墨棒基体及基体外围的非金属抗氧化层组成,其特征在于由内到外的结构成分依次为含有纳米陶瓷颗粒的石墨棒、第一层碳化硅(SiC)、石墨烯和第二层碳化硅(SiC),厚度分别为10~100nm、0.1~1nm和100~1000nm。所述的石墨棒的调节电阻为0.5~5%,直径为5~200mm,由纳米陶瓷颗粒与石墨颗粒组成,其中石墨颗粒直径小于等于3微米,重量分数为90~95%。纳米陶瓷颗粒可以是碳化硅(SiC)、碳化铪(HfC)、碳化钽(TaC)、碳化锆(ZrC)中的一种或者多种,弥散分布在石墨基体中,重量分数为5~10%。该石墨电极结构致密,强度高,具有优良的抗氧化性能和高发射性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 石墨电极 | ||
【主权项】:
一种纳米石墨电极,由实心的石墨棒基体及基体外围的非金属抗氧化层组成,其特征在于由内到外的结构成分依次为含有纳米陶瓷颗粒的石墨棒、第一层碳化硅、石墨烯和第二层碳化硅,不同成分之间有着紧密的分子或原子间结合。
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