[发明专利]半导体器件、电子电路以及用于切换高电压的方法

摘要

公开了一种半导体器件、电子电路和方法。半导体器件包括半导体主体；至少一个晶体管单元，包括源极区、漂移区、将源极区与漂移区分开的主体区、以及在半导体主体中的漏极区、以及由栅极电介质与主体区介电绝缘的栅极电极；源极节点，连接至源极区和主体区；接触节点，与主体区和漏极区间隔开，以及电连接至漏极区；以及整流器元件，在接触节点和源极节点之间形成。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体主体；至少一个晶体管单元，所述至少一个晶体管单元包括源极区、漂移区、将所述源极区与所述漂移区分开的主体区，以及在所述半导体主体中的漏极区，以及栅极电极，通过栅极电介质将所述栅极电极与所述主体区电绝缘；源极节点，连接至所述源极区和所述主体区；接触节点，与所述主体区和所述漏极区间隔开并且电连接至所述漏极区；以及整流器元件，在所述接触节点和所述源极节点之间形成。