[发明专利]一种超级结器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410392143.1 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104124276B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结半导体器件及其制作方法，器件的交替排列的P‑N薄层至少由两段交替排列的P‑N薄层构成。相邻两段交替排列的P‑N薄层中的同种类型的杂质浓度可以相等，也可以不相等；相邻两段交替排列的P‑N薄层中一段的交替排列的P‑N薄层中一个步长中P‑N薄层的排列方式可以和与它比邻的另一段的交替排列的P‑N薄层中一个步长中P‑N薄层的排列方式相同，也可以不相同；同一段交替排列的P‑N薄层的P型杂质总量与N型杂质总量可以相等，也可以不相等；本发明能够减小交替排列的P‑N薄层的加工难度，提高器件性能的一致性，并能提高器件的抗电流冲击能力、抗电压冲击能力和器件设计的灵活性。本发明并公开了器件的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件，其特征在于：器件的交替排列的P‑N薄层在垂直于器件表面的方向上由至少两段交替排列的P‑N薄层构成；不同段的相邻的交替排列的P‑N薄层之间，一段的交替排列的P‑N薄层中的P薄层的宽度，可以和与它比邻的另一段的交替排列的P‑N薄层中的P薄层的宽度相等，也可以不相等；一段的交替排列的P‑N薄层中的N薄层的宽度，可以和与它比邻的另一段的交替排列的P‑N薄层中的N薄层的宽度相等，也可以不相等；一段的交替排列的P‑N薄层中一个步长中P‑N薄层的排列方式可以和与它比邻的另一段的交替排列的P‑N薄层中一个步长中P‑N薄层的排列方式相同，也可以不相同；一段的交替排列的P‑N薄层中的P薄层中P型杂质的浓度，可以和与它比邻的另一段的交替排列的P‑N薄层中的P薄层中P型杂质的浓度相等，也可以不相等；一段的交替排列的P‑N薄层中的N薄层中N型杂质的浓度，可以和与它比邻的另一段的交替排列的P‑N薄层中的N薄层中N型杂质的浓度相等，也可以不相等。
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