[发明专利]具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器（RRAM）有效
| 申请号： | 201410392613.4 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105206743B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;张冠张;蔡宗鸣;潘致宏;王英郎;陈科维;张世杰;孔德明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 器件 结构 电阻 随机存取存储器 rram | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器，包括：第一电极和第二电极；以及多层电阻切换网络，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述多层电阻切换网络包括：IV族元素掺杂层；第一碳掺杂层，设置在所述IV族元素掺杂层和所述第一电极之间；和第二碳掺杂层，设置在所述IV族元素掺杂层和所述第二电极之间。
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