[发明专利]有利于减少正面栅线数目的异质结电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底、正面本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透明导电薄膜层和金属栅线层，正面本征非晶硅薄膜层沉积在衬底的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层的上表面上，透明导电薄膜层沉积在掺杂层的上表面上，金属栅线层设置在透明导电薄膜层的上表面上，其特征在于：所述的掺杂层包括呈交替横向排列的重掺杂区域和轻掺杂区域，并且轻掺杂区域的中部设置有发射极单元隔离层。本发明不仅能够改善电池内建电场的分布，弱化载流子对掺杂层的依赖性，而且能够弱化由于衬底的不均匀性导致的电池性能的下降，从而在不影响载流子输运效率的前提心下，减少感光面栅线的数目。

主权项

一种有利于减少正面栅线数目的异质结电池，它具有衬底(1)、正面本征非晶硅薄膜层(21)、掺杂层、透明导电薄膜层(61)和金属栅线层(8)，正面本征非晶硅薄膜层(21)沉积在衬底(1)的正面上，掺杂层沉积在正面本征非晶硅薄膜层(21)的上表面上，透明导电薄膜层(61)沉积在掺杂层的上表面上，金属栅线层(8)设置在透明导电薄膜层(61)的上表面上，其特征在于：所述的掺杂层包括呈交替横向排列的重掺杂区域(4)和轻掺杂区域(5)，并且轻掺杂区域(5)的中部设置有发射极单元隔离层(7)。