[发明专利]一种MEMS工艺中的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410395365.9 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105329846A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;杨涛;孟令款;李春龙;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS工艺中的刻蚀方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀衬底以形成沟槽；采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；采用等离子体刻蚀的方法，去除沟槽底面上的钝化层；继续刻蚀衬底；去除钝化层以及掩膜层。在本发明中，在等离子体刻蚀的设备中完成首次刻蚀以及原位的钝化层的保护，工艺简单，集成度高且效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 工艺 中的 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS工艺中的刻蚀方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀衬底以形成沟槽；采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；采用等离子体刻蚀的方法，去除沟槽底面上的钝化层；继续刻蚀衬底；去除钝化层以及掩膜层。
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