[发明专利]一种高方向性微带功率耦合器在审
| 申请号： | 201410395643.0 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104157948A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 程隽隽;沈玮 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200082 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高方向性微带功率耦合器，包括底面带有金属层的基板、主微带线、辅微带线及交指电容。主微带线、辅微带线做为耦合线，交指电容的两极分别与两耦合线垂直连接，交指电容的电容值通过改变其两极微带线的宽度、长度及间距即可实现，从而实现对耦合器方向性的调节，而两耦合线的长度、宽度及间距的大小可以改变集总电容值，从而改变耦合强度。与传统的微带线耦合器相比，该耦合器在不增加原有电路面积的基础上，仅仅通过加载三个交指电容，实现均衡奇偶模的传输速度，大大改善了耦合器的方向性特性。同时本发明的微带功率耦合器可采用印刷电路板的结构，生产成本低，生产工艺简便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方向性 微带 功率 耦合器 | ||
【主权项】：
一种高方向性微带功率耦合器，包括：底面带有金属层的基板、表面金属微带线，其特征在于，所述表面金属微带线包括主微带线、辅微带线及交指电容；所述主微带线的一端为输入端口，另一端为输出端口，所述辅微带线的一端为隔离端口，另一端为耦合端口；所述交指电容位于所述主微带线及辅微带线间的耦合区域内，所述交指电容的两极分别与所述主微带线及辅微带线垂直连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海航天电子通讯设备研究所，未经上海航天电子通讯设备研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410395643.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
