[发明专利]基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构及方法有效
| 申请号： | 201410395819.2 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104157632B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王立春 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200082 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构及方法，利用选择性铝阳极氧化工艺制造上层铝薄膜多层互连结构和下层铝基板穿孔金属化结构，上层铝薄膜多层互连结构的钽铝合金薄膜中的若干导带分别与铝薄膜中的若干导带电性连接；相邻两组的钽铝合金薄膜与铝薄膜的结构的连接面上的若干导带分别电性连接；淀积在下层铝基板穿孔金属化结构上的钽铝合金薄膜的若干导带分别与若干铝通柱的上端电性连接，简化了BGA基板的制造流程，降低了BGA基板的成本，提高了互连结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 选择性 阳极 氧化 bga 多层 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构，其特征在于，包括：上层铝薄膜多层互连结构，以及下层铝基板穿孔金属化结构；所述下层铝基板穿孔金属化结构包括对一铝基板进行部分多孔阳极氧化形成的：多孔型阳极氧化铝基板；若干铝通柱，位于所述多孔型阳极氧化铝基板的内部，穿透且两端分别裸露于所述多孔型阳极氧化铝基板的上表面和下表面；若干栅格地，分别围绕在所述铝通柱周围；所述上层铝薄膜多层互连结构包括：若干组依次淀积在所述下层铝基板穿孔金属化结构上的钽铝合金薄膜与铝薄膜的结构，所述钽铝合金薄膜与所述铝薄膜中都包括通过部分多孔阳极氧化形成的多孔阳极氧化介质与若干导带，所述若干导带位于所述多孔阳极氧化介质中，暴露于所述多孔阳极氧化介质的上表面与下表面；所述钽铝合金薄膜中的所述若干导带分别与所述铝薄膜中的所述若干导带电性连接；相邻两组的钽铝合金薄膜与铝薄膜的结构的连接面上的所述若干导带分别电性连接；淀积在所述下层铝基板穿孔金属化结构上的所述钽铝合金薄膜的所述若干导带分别与所述若干铝通柱的上端电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海航天电子通讯设备研究所，未经上海航天电子通讯设备研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410395819.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管模组
- 下一篇：具有嵌入在封装中的硅通孔（TSV）管芯的多芯片集成
