[发明专利]线型架构的功率半导体元件有效
| 申请号： | 201410396000.8 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097890B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 涂高维;蔡依芸;张渊舜 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司11234 | 代理人： | 宋义兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种线型架构的功率半导体元件，其包括基材、多个线型功率半导体晶胞与保护环结构。此基材的一表面定义有一活动区域与一终端区域，终端区域位于活动区域的外侧。线型功率半导体晶胞排列于活动区域内。各个线型功率半导体晶胞分别包括一长条状闸极导电结构。保护环结构位于终端区域内，并且包括至少一环状导电结构。此环状导电结构环绕这些线型功率半导体晶胞。环状导电结构与长条状闸极导电结构位于同一个导电层，且至少一个长条状闸极导电结构与位于最内侧的环状导电结构相分离并通过一闸极金属垫电性连接至此位于最内侧的环状导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 线型 架构 功率 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种线型架构的功率半导体元件，其特征在于，包括：一基材，具有一表面，其定义有一活动区域与一终端区域，上述终端区域位于上述活动区域的外侧；多个线型功率半导体晶胞，位于上述活动区域内，各上述线型功率半导体晶胞包括一长条状闸极导电结构；以及一保护环结构，包括至少一环状导电结构，位于上述终端区域内，且环绕该些线型功率半导体晶胞，其中上述长条状闸极导电结构与上述终端区域的最内侧的上述环状导电结构相分离，形成于上述活动区域内的一本体掺杂区与位于上述终端区域内的一掺杂区间隔固定的距离。
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