[发明专利]一种二氧化氮气体传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410398061.8 申请日: 2014-08-14
公开(公告)号: CN104181209A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 谢光忠;黄俊龙;解涛;周泳;杜晓松;太惠玲;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李玉兴
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种二氧化氮气体传感器及其制备方法,涉及传感器技术领域。该二氧化氮气体传感器,包括上表面设置有叉指电极的衬底,叉指电极表面沉积有还原的氧化石墨烯薄膜,共同形成覆膜叉指电极结构,在覆膜叉指电极结构表面沉积有聚N-甲基吡咯薄膜,聚N-甲基吡咯薄膜中,少数聚N-甲基吡咯材料透过还原的氧化石墨烯薄膜缝隙与叉指电极相接触,多数聚N-甲基吡咯材料沉积于还原的氧化石墨烯薄膜表面。该传感器采用聚N-甲基吡咯作为气体吸附的选择层,利用还原的氧化石墨烯作为气敏材料以测试二氧化氮气体分子,提高对二氧化氮气体的选择性,利于检测混合气体中的二氧化氮;且结构简单,易于制备,生产成本低,便于进行实验操作;适用于检测二氧化氮气体。
搜索关键词: 一种 二氧化氮 气体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化氮气体传感器,包括衬底(1),所述衬底(1)的上表面设置有叉指电极(2),所述叉指电极(2)表面沉积有还原的氧化石墨烯薄膜(3),叉指电极(2)与还原的氧化石墨烯薄膜(3)共同形成覆膜叉指电极结构,其特征在于,在覆膜叉指电极结构表面沉积有聚N‑甲基吡咯薄膜(4),所述聚N‑甲基吡咯薄膜(4)中,少数聚N‑甲基吡咯材料透过还原的氧化石墨烯薄膜(3)缝隙与叉指电极(2)相接触,多数聚N‑甲基吡咯材料沉积于还原的氧化石墨烯薄膜(3)表面。
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