[发明专利]一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路

摘要

本发明属于一种LED驱动电路，特别是涉及一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路，它包括功率MOSFET开关管，高压开关MOS管通过电阻与电路地线连接，还包括延时逻辑控制单元、信号采样单元、前沿消隐单元、控制逻辑信号单元、电压比较器、迟滞比较器和过压保护单元。本发明的功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路采用源极延迟采样技术，能够降低LED驱动控制电路的复杂度和面积，降低制造成本；本发明的功率MOSFET源极驱动拓扑结构的控制电路还具有控制方式简单、易于实现、功耗低和效率高的优点。

主权项

一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路，它包括：功率MOSFET开关管M2和高压开关MOS管M1，该功率MOSFET开关管M2的源极与该高压开关MOS管M1的漏极连接，该功率MOSFET开关管M2的栅极和漏极分别与外部电源电压和变压器或电感连接，该高压开关MOS管M1的源极通过电阻R1与电路地线GND连接；其特征在于还包括：信号采样单元（11）、延时逻辑控制单元（30）、前沿消隐单元（14）、电压比较器（15）、控制逻辑信号单元（20）、迟滞比较器（12）和过压保护单元（13）；其中： 所述延时逻辑控制单元（30）对所述高压开关MOS管M1的栅极信号VG进行采样处理并产生延时逻辑控制信号Vctr输出至所述信号采样单元（11）和过压保护单元（13）；所述信号采样单元（11）对所述高压开关MOS管M1的源极信号VS进行采样处理并得到分压信号VS1和延迟信号Vsample，该分压信号VS1和延迟信号Vsample被分别输出至迟滞比较器（12）的第一输入端和第二输入端；所述迟滞比较器（12）对分压信号VS1和延迟信号Vsample进行处理并产生逻辑信号VC输出至所述控制逻辑信号单元（20）和过压保护单元（13）；所述过压保护单元（13）在延时逻辑控制信号Vctr的采样时刻对所述逻辑信号VC进行处理并产生逻辑信号VE输出至所述控制逻辑信号单元（20）；所述前沿消隐单元（14）对所述高压开关MOS管M1与电阻R1之间的电压信号VCS进行前沿消隐并将前沿消隐后的电压信号输出至所述电压比较器（15），该电压比较器（15）将接收到的前沿消隐后的电压信号与基准电压Vref进行比较并产生逻辑信号VD输出至所述控制逻辑信号单元（20）；所述控制逻辑信号单元（20）对所述逻辑信号VC、逻辑信号VD和逻辑信号VE进行处理并产生栅极信号VG输出至所述高压开关MOS管M1的栅极和延时逻辑控制单元（30）。