[发明专利]一种具有自隔离的半导体结构在审
| 申请号： | 201410400043.9 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104157689A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘侠;杨东林;罗义 | 申请（专利权）人： | 西安芯派电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种具有自隔离的半导体结构，包括N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型掺杂外延层内部设有P型填充阱区，P型填充阱区包括第一、第二和第三P型填充阱区；第一P型填充阱区和第三P型填充阱区的上侧分别设有P型掺杂区，P型掺杂区中设有N型重掺杂区；第一P型填充阱区及对应的N型掺杂外延层、P型掺杂区和N型重掺杂区构成第二元胞区域；第二P型填充阱区及对应的N型掺杂外延层构成隔离结构区域；第三P型填充阱区以及对应的N型掺杂外延层、P型掺杂区和N型重掺杂区同构成第一元胞区域；第一、第二元胞区域和隔离结构区域构成的元胞区域外围设置终端耐压区域；第一元胞区域与终端耐压区域构成开关管；第二元胞区域构成启动管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 隔离 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种具有自隔离的半导体结构，其特征在于，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底(1)和N型掺杂外延层(2)；N型掺杂外延层(2)内部设有P型填充阱区，P型填充阱区包括由内向外设置且结构相同的第一P型填充阱区(31)、第二P型填充阱区(32)和第三P型填充阱区(33)；第一P型填充阱区(31)和第三P型填充阱区(33)的上侧分别设有P型掺杂区(4)，P型掺杂区(4)中设有N型重掺杂区(5)；所述的第一P型填充阱区(31)以及对应的N型掺杂外延层(2)、P型掺杂区(4)和N型重掺杂区(5)共同构成第二元胞区域(C)；所述的第二P型填充阱区(32)以及对应的N型掺杂外延层(2)共同构成隔离结构区域(B)；所述的第三P型填充阱区(33)以及对应的N型掺杂外延层(2)、P型掺杂区(4)和N型重掺杂区(5)共同构成第一元胞区域(A)；第一元胞区域(A)、隔离结构区域(B)和第二元胞区域(C)共同构成元胞区域(100)，元胞区域(100)外围四周设置终端耐压区域(101)；所述元胞区域(100)上方依次设有氧化层、介质层(12)和上金属层，部分氧化层上的介质层(12)内设置多晶硅；上金属层对应在第一元胞区域(A)上方设置的部分构成第一源极金属电极(8)，上金属层对应在第二元胞区域(C)上方设置的部分构成第二源极金属电极(9)，第一源极金属电极(8)和第二源极金属电极(9)之间相互断开；设置在N型掺杂半导体衬底(1)下方的下金属层构成漏极金属电极(10)；多晶硅对应在第一元胞区域(A)上方设置的部分构成第一栅电极(6)，多晶硅对应在第二元胞区域(C)上方设置的部分构成第二栅电极(7)；第一元胞区域(A)与终端耐压区域(101)构成开关管；第二元胞区域(C)通过隔离结构区域(B)与第一元胞区域(A)分离，构成启动管。
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