[发明专利]具有原子蒸气腔室的MEMS器件及其形成方法有效
申请号: | 201410400532.4 | 申请日: | 2014-08-14 |
公开(公告)号: | CN104229719A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 阮勇;韩润奇;尤政;马波 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有原子蒸气腔室的MEMS器件及其形成方法。其中该MEMS器件包括:硅衬底,硅衬底中具有至少一个窗口;相同的第一玻璃基片和第二玻璃基片,第一玻璃基片位于硅衬底之上,第二玻璃基片位于硅衬底之下,其中,窗口与第一玻璃基片和第二玻璃基片形成密封的原子蒸气腔室,原子蒸气腔室中具有碱金属材料;加热线圈,加热线圈由透明导电材料构成,位于第一玻璃基片上表面中窗口对应处以及第二玻璃基片下表面中窗口对应处二者中至少之一;以及加热电极,加热电极与加热线圈相连。本发明的具有原子蒸气腔室的MEMS器件具有加热效率高、测温准确、可以实现更高水平的器件微型化、密封性好等优点。 | ||
搜索关键词: | 具有 原子 蒸气 mems 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种具有原子蒸气腔室的MEMS器件,其特征在于,包括:硅衬底,所述硅衬底中具有至少一个窗口;相同的第一玻璃基片和第二玻璃基片,所述第一玻璃基片位于所述硅衬底之上,所述第二玻璃基片位于所述硅衬底之下,其中,所述窗口与所述第一玻璃基片和第二玻璃基片形成密封的原子蒸气腔室,所述原子蒸气腔室中具有碱金属材料;加热线圈,所述加热线圈由透明导电材料构成,位于所述第一玻璃基片上表面中所述窗口对应处以及第二玻璃基片下表面中所述窗口对应处二者中至少之一;以及加热电极,所述加热电极与所述加热线圈相连。
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