[发明专利]半导体基片表面钝化层的形成方法在审
| 申请号： | 201410401524.1 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336577A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 章陆一 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体基片表面钝化层的形成方法。对于刚出炉的半导体基片，直接向微处理腔内通入臭氧气体2-10min。对于有自然氧化层的半导体基片，一种是向微处理腔内通入含HF的气体或液体；向微处理腔内通入超纯水；干燥；向微处理腔内通入臭氧气体2-10min。另一种是向微处理腔内通入含HF的气体或液体；向微处理腔内通入臭氧水2-10min；干燥。本发明使用氧化能力强的臭氧作为氧化剂，采用微处理腔作为反应容器，能大幅度节省反应物用量，减少钝化时间，降低处理成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 钝化 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基片表面钝化层的形成方法，用于对刚出炉的半导体基片进行钝化处理，其特征是，包括以下步骤：(1)将出炉的半导体基片装入微处理腔；(2)密闭微处理腔；(3)直接向微处理腔内通入臭氧气体2‑10min；(4)打开微处理腔，取出半导体基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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