[发明专利]沟渠式肖特基二极管有效
| 申请号： | 201410401583.9 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336794B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 叶昇平 | 申请（专利权）人： | 强茂股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种沟渠式肖特基二极管，包含：一基板、一n型的磊晶层、数个p型的半导体层、数个氧化层、一连接该基板的第一电极，以及一连接该磊晶层的第二电极。该磊晶层位于该基板上，并包括数个沟槽。所述半导体层分别位于所述沟槽，每一半导体层的材料功函数大于或等于4.8电子伏特。所述氧化层分别位于所述沟槽并且分别位于每一半导体层与该磊晶层之间。通过所述沟槽填入具有高功函数的p型半导体层，使本发明具有较佳的顺向偏压特性。因此，本发明在能承受高逆向偏压的同时，还具有良好的顺偏特性，同时还保有肖特基元件切换快速的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 式肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种沟渠式肖特基二极管，包含：一个基板、一个位于该基板上的n型的磊晶层、一个连接该基板的第一电极，以及一个第二电极，该磊晶层包括一个朝向该基板的第一面、一个相反于该第一面的第二面，以及数个自该第二面朝向该第一面凹设的沟槽，其特征在于：该沟渠式肖特基二极管还包含数个p型的半导体层以及数个氧化层，所述半导体层分别位于所述沟槽，所述氧化层分别位于所述沟槽并且分别位于每一个半导体层与该磊晶层之间；该第二电极位于该磊晶层的第二面上且覆盖所述半导体层；所述半导体层的材料功函数为4.8～5.27电子伏特；所述氧化层的厚度为1500～3000埃；该磊晶层的阻抗值为0.8～5.0欧姆；所述沟槽的深度为1.5～3.0微米，宽度为0.3～1.0微米。
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