[发明专利]多晶硅电池片腐蚀液及其制备工艺在审
| 申请号： | 201410401981.0 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104131356A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杜正兴;陈烈军;丁志强 | 申请（专利权）人： | 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C23F1/24 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;刘海 |
| 地址： | 214181 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅电池片腐蚀液及其制备工艺，包括以下组份，组份比例按重量份数计：10～12份氢氟酸、80～82份硝酸、1～3份制绒辅助剂和66份水；氢氟酸的质量百分浓度为49±1%，硝酸的质量百分浓度为78±1%。所述多晶硅电池片腐蚀液的制备工艺，其特征是，包括以下步骤，组份比例按重量份数计：将66份水注入制绒槽中降温至12～15℃，加入10～12份氢氟酸、80～82份硝酸和1～3份制绒辅助剂；通入氮气鼓泡，同时用冷冻水循环降温，保证温度在5～8℃，得到所述的腐蚀液；其中，氮气流量为5～15L/min，循环冷冻水的温度为0～4℃。本发明所述腐蚀液可使硅片与酸性腐蚀液的反应速度易于控制，能够形成一致均匀的表面形貌结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电池 腐蚀 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电池片腐蚀液，其特征是，包括以下组份，组份比例按重量份数计：10～12份氢氟酸、80～82份硝酸、1～3份制绒辅助剂和66份水；氢氟酸的质量百分浓度为49±1%，硝酸的质量百分浓度为78±1%。
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