[发明专利]一种半导体温差充电器及其制作方法有效
申请号: | 201410402290.2 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN104167791B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 陈志明;顾伟 | 申请(专利权)人: | 陈志明;顾伟;江苏昱众新材料科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02N11/00 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人: | 刘楠 |
地址: | 550000 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体温差充电器及其制作方法,本发明将至少两片温差感应发电芯片的冷面采用导热硅脂分别粘贴在中空式散热器对称的两侧面上,使温差感应发电芯片的热面处于最外侧面;将所有的温差感应发电芯片采用串联或并联的方式进行连接,然后将串联或并联后的温差感应发电芯片的输出端连接在一个按桥式整流电路制作的桥堆输入端上,将桥堆的输出端直接与USP手机充电插口连接或通过控制电路与USP手机充电插口后,即可制作得到半导体温差充电器。本发明不仅具有结构简单、制作容易、使用安全可靠、不会产生任何污染的优点,而且还具有重量轻、使用寿命长等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 温差 充电器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种根据半导体温差充电器的制作方法构建的半导体温差充电器,该制作方法包括采用由N型半导体元件和P型半导体元件制作组成的温差感应发电芯片作为发电源,将至少两片温差感应发电芯片的冷面采用导热硅脂分别粘贴在中空式散热器对称的两侧面上,使温差感应发电芯片的热面处于最外侧面;将所有的温差感应发电芯片采用串联或并联的方式进行连接,然后将串联或并联后的温差感应发电芯片的输出端连接在一个按桥式整流电路制作的桥堆输入端上,将桥堆的输出端通过控制电路与USB手机充电插口连接后,即可制作得到半导体温差充电器;该半导体温差充电器包括壳体(1)、温差感应发电芯片(2)、中空式散热器(3),中空式散热器(3)安装在壳体(1)内,其特征在于:在中空式散热器(3)的对称两侧面上分别粘贴有1~100片温差感应发电芯片(2),并且温差感应发电芯片(2)的热面高于或等于壳体(1)的外表面,温差感应发电芯片(2)的冷面粘贴固定在中空式散热器(3)上,所有温差感应发电芯片(2)相互连接后组成的电源输出端与安装在控制电路板(6)上的桥堆(4)的输入端连接,桥堆(4)的输出端通过安装在壳体(1)内的控制电路板(6)上的电路与USB手机充电插口(5)连接;控制电路板(6)上的电路包括组成放大、稳压和恒流电路的第一三极管(G1)~第四三极管(G4)和运算放大电路集成块(IC),桥堆(4)的负极为接地端,桥堆(4)的正极接第一三极管(G1)的发射极,第一三极管(G1)的集电极接第一变压器L1的次级一端,第一变压器L1的次级另一端接地,第一三极管(G1)的基极接第一变压器L1的初级一端,第一变压器L1的初级另一端接第一二级管(D1)的正极,第一二级管(D1)的负极接第二三极管(G2)的集电极和第一电阻(R1)一端,第一电阻(R1)的另一端分别接第二三极管(G2)的基极和第三三极管(G3)的发射极及第一电容(C1)一端,第一电容(C1)另一端接地,第二三极管(G2)的发射极通过第一稳压管(W1)接地;第三三极管(G3)的基极接第二变压器(L2)的初级一端,第二变压器(L2)的初级另一端接第二二级管(D2)的正极,第二二级管(D2)的负极分别接第四三极管(G4)的集电极和第二电阻(R2)一端,第二电阻(R2)的另一端分别接第四三极管(G4)的基极和第二电容(C2)、第四电容(C4)、电感(L)的一端及运算放大电路集成块(IC)的第3、第6和第7接线脚,第三三极管(G3)的集电极接第二变压器(L2)的次级一端,第二变压器(L2)次级的另一端接地,第四三极管(G4)的发射极通过第二稳压管(W2)分别接地和接第二电容(C2)和第四电容(C4)的另一端;运算放大电路集成块(IC)的输入端第1接线脚依次通过第三电阻(R3)和第三电容(C3)接地,运算放大电路集成块(IC)的另一输入端第2接线脚通过第四电阻(R4)接地、并通过第五电阻(R5)与第三二极管(D3)的负极、LED发光二极管(D4)的正极、电感(L)的另一端、第六电容(C6)一端及USB手机充电插口(5)连接,第六电容(C6)另一端接地,运算放大电路集成块(IC)的第4接线脚接地、第8接线脚通过第五电容(C5)接地,运算放大电路集成块(IC)的输出端第5脚接第三二极管(D3)的正极,LED发光二极管(D4)的负极通过开关(K)接地。
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