[发明专利]一种多层膜电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201410403398.3 申请日: 2014-08-15
公开(公告)号: CN104218213B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 王成新;庞春雷;李娜;崔浩 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/36;H01M4/139;H01M10/0525
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 任重
地址: 510006 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种多层膜锂离子电池负极,包括基材、硅基层和碳层,所述的硅基层和碳层交替叠加,所述的硅基层由硅、二氧化硅以及填充于他们之间的碳组成。本发明还公开了利用MPECVD制备本发明的方法,本发明的多层膜电极,电极层数和厚度可控,由于这种结构的优点,电极具有良好的导电性和机械粘合力,因此允许电极通过增加层数提高活性物质的载量,从而提高电极的能量密度。在本节中,12层的三明治结构SiO2&Si/C膜电极获得了良好的容量持有率,且在1/8C的电流密度下,其可逆容量达到0.46mAh/cm2的单位面积比容量。这种材料结构策略还可以应用到其他材料中去,相信同样可以获得优异的性能。
搜索关键词: 一种 多层 电极 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种多层膜电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将基材放入微波等离子体增强化学气相沉积设备中,将甲烷、硅烷和氢气作为气源,进行等离子体分解沉积,采用氢气和甲烷的混合气体,分解沉积生成碳层,采用氢气和硅烷的混合气体,分解沉积生成硅基层,一次沉积生成一层碳层或硅基层,反复沉积多次,即得;所述硅基层的二氧化硅的氧原子是在切换气体时,在残余的CH4的保护下首先生成非晶硅,当消耗完残余的CH4后与氧气生成SiO2,其中SiO2中的氧原子来自于残留气体中的氧气,所述多层膜电极,包括基材、硅基层和碳层,所述的碳层位于基材上,硅基层和碳层交替叠加,所述的碳层比硅基层的层数多一层,所述的硅基层由硅、二氧化硅以及填充于它们之间的碳组成;所述的多层膜电极包括3~12层硅基层;所述的硅和二氧化硅为纳米级的颗粒,二氧化硅为晶体颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410403398.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top