[发明专利]N型鳍式场效应晶体管及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201410403568.8 申请日: 2014-08-15
公开(公告)号: CN105448986A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 居建华;李勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 应战;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法,其中所述N型鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有凸起的鳍部,所述鳍部包括相邻接的底部区域和上部区域,所述底部区域位于上部区域下方;进行离子注入工艺,向鳍部中注入B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成注入区;在离子注入工艺后,进行退火工艺,激活注入区中的B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成掺杂区;进行退火工艺后,形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构;在栅极结构两侧的鳍部中形成源区和漏区。本发明的方法通过防止掺杂区中的硼离子的扩散,提高鳍式场效应晶体管源漏抗穿通的能力。
搜索关键词: 型鳍式 场效应 晶体管 及其 形成 方法
【主权项】:
一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有凸起的鳍部,所述鳍部包括相邻接的底部区域和上部区域,所述底部区域位于上部区域下方;进行离子注入工艺,向鳍部中注入B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成注入区;在离子注入工艺后,进行退火工艺,激活注入区中的B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成掺杂区;进行退火工艺后,形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构;在栅极结构两侧的鳍部中形成源区和漏区。
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