[发明专利]N型鳍式场效应晶体管及其形成方法在审
申请号: | 201410403568.8 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN105448986A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 居建华;李勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法,其中所述N型鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有凸起的鳍部,所述鳍部包括相邻接的底部区域和上部区域,所述底部区域位于上部区域下方;进行离子注入工艺,向鳍部中注入B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成注入区;在离子注入工艺后,进行退火工艺,激活注入区中的B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成掺杂区;进行退火工艺后,形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构;在栅极结构两侧的鳍部中形成源区和漏区。本发明的方法通过防止掺杂区中的硼离子的扩散,提高鳍式场效应晶体管源漏抗穿通的能力。 | ||
搜索关键词: | 型鳍式 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有凸起的鳍部,所述鳍部包括相邻接的底部区域和上部区域,所述底部区域位于上部区域下方;进行离子注入工艺,向鳍部中注入B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成注入区;在离子注入工艺后,进行退火工艺,激活注入区中的B离子和F离子,在鳍部的底部区域中形成掺杂区;进行退火工艺后,形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构;在栅极结构两侧的鳍部中形成源区和漏区。
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