[发明专利]降低集成电路RC延迟的方法在审
| 申请号： | 201410403716.6 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104134629A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低集成电路RC延迟的方法，包括：在多孔低介电常数材料中形成铜互连结构，并且在对铜互连结构进行化学机械研磨平坦化处理；在形成铜互连结构的多孔低介电常数材料表面生长铜扩散介质阻挡层；通过光刻和刻蚀工艺将铜互连结构之外的区域的铜扩散介质阻挡层去除，保留铜互连结构上的铜扩散介质阻挡层；再次进行低介电常数材料的生长，从而在保留的铜扩散介质阻挡层和多孔低介电常数材料上形成上部多孔低介电常数材料层；对上部多孔低介电常数材料层进行表面平坦化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 集成电路 rc 延迟 方法 | ||
【主权项】：
一种降低集成电路RC延迟的方法，其特征在于包括：在多孔低介电常数材料中形成铜互连结构，并且在对铜互连结构进行平坦化处理；在形成铜互连结构的多孔低介电常数材料表面生长铜扩散介质阻挡层；通过光刻和刻蚀工艺将铜互连结构之外的区域的铜扩散介质阻挡层去除，保留铜互连结构上的铜扩散介质阻挡层；再次进行低介电常数材料的生长，从而在保留的铜扩散介质阻挡层和多孔低介电常数材料上形成上部多孔低介电常数材料层；对上部多孔低介电常数材料层进行表面平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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