[发明专利]在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法在审
| 申请号： | 201410403748.6 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104167363A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，包括：第一步骤，在硅片上形成Fin-FET器件的鳍；第二步骤，沉积一层介质层覆盖所述鳍作为虚拟栅极层，在虚拟栅极层上沉积硬掩模层和光刻胶进行光刻刻蚀以形成虚拟栅极；第三步骤，在栅极区域表面形成一层薄膜；第四步骤，刻蚀所述薄膜以形成覆盖虚拟栅极侧壁的侧墙保护层；第五步骤，沉积栅极氧化层和栅极；第六步骤，去除虚拟栅极，保留极氧化层和栅极以及侧墙保护层，并进行后续的离子注入工艺。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 形成 离子 注入 保护层 方法 | ||
【主权项】：
一种在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于包括：第一步骤，在硅片上形成Fin‑FET器件的鳍；第二步骤，沉积一层介质层覆盖所述鳍作为虚拟栅极层，在虚拟栅极层上沉积硬掩模层和光刻胶进行光刻刻蚀以形成虚拟栅极；第三步骤，在栅极区域表面形成一层薄膜；第四步骤，刻蚀所述薄膜以形成覆盖虚拟栅极侧壁的侧墙保护层；第五步骤，沉积栅极氧化层和栅极；第六步骤，去除虚拟栅极，保留极氧化层和栅极以及侧墙保护层，并进行后续的离子注入工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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