[发明专利]一种提高MOS管模拟开关线性度的方法及MOS管模拟开关电路有效
| 申请号： | 201410403850.6 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104158526B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄正波;李婷;李儒章;张勇;王妍;陈光炳;付东兵;王育新 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电荷补偿的提高MOS管模拟开关线性度方法，主要应用于集成电路领域，特别是涉及MOS管作为模拟信号采样开关的集成电路应用领域。该方法具体为，在MOS管模拟开关电路中设置补偿电路，补偿MOS管模拟开关在导通阶段由于寄生电容电荷分配损失的电荷量，提高MOS管模拟开关线性度。该方法能够消除栅压自举电路中由于寄生电容造成的MOS管模拟开关非线性影响，提高MOS管模拟开关的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mos 模拟 开关 线性 方法 开关电路 | ||
【主权项】：
一种提高MOS管模拟开关线性度方法，其特征在于：在栅压自举MOS管模拟开关的辅助电路中增加电荷补偿电路，补偿栅压自举MOS管模拟开关的辅助电路在导通阶段由于MOS管模拟开关和辅助电路中自举电容Ca上极板导通MOS管M4寄生电容与自举电容Ca电荷重分配损失的电荷量，提高MOS管模拟开关线性度。
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