[发明专利]组合QWFINFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201410403875.6 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN105206669B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;范纯祥;李泳达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子阱鳍式场效应晶体管(QWFinFET)。该QWFinFET包括位于衬底上方的半导体鳍和位于半导体鳍上方的组合量子阱(QW)结构。组合QW结构包括位于半导体鳍的顶部上方的QW结构和半导体鳍的中间部分。半导体鳍和QW包括不同的半导体材料。QWFinFET也包括位于组合QW结构上方的栅极堆叠件。本发明还提供了组合QWFINFET的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 qwfinfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子阱鳍式场效应晶体管QWFinFET，包括：半导体鳍，位于衬底上方；组合量子阱(QW)结构，位于所述衬底的上方，其中，所述组合量子阱结构包括：量子阱结构，包裹在所述半导体鳍的顶部上方；和所述半导体鳍的中间部分，所述中间部分是所述半导体鳍的未被所述量子阱结构包裹且位于浅沟槽隔离区的顶面上方的部分，所述半导体鳍和所述量子阱结构包括不同的半导体材料；以及栅极堆叠件，包裹在所述组合量子阱结构上方。
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