[发明专利]以正反馈跨阻放大级为负载的25％占空比无源混频器

摘要

本发明公开了一种以正反馈跨阻放大级为负载的25％占空比无源混频器，包含跨导放大级、开关混频级、跨阻放大级；其中跨导放大级采用反相器跨导放大结构，输出射频电流；开关混频级采用分别由50％占空比正交本振信号驱动的开关管串联结构，实现25％占空比的开关混频，对跨导放大级输出的射频电流进行调制，输出中频电流；跨阻放大级采用交叉耦合正反馈结构，以较低功耗实现低输入阻抗，从而有效地将开关混频级输出的中频电流转换为中频电压输出。本发明一种以正反馈跨阻放大级为负载的25％占空比无源混频器具有低功耗、高增益和低噪声的特点。

主权项

一种以正反馈跨阻放大级为负载的25％占空比无源混频器，其特征在于：包括跨导放大级、开关混频级和跨阻放大级；所述跨导放大级将射频输入电压转换为射频电流，跨导放大级的输出端接入开关混频级的输入端；所述开关混频级采用分别由50％占空比正交本振信号驱动的开关管串联结构对所述跨导放大级输出的射频电流进行调制，并输出中频电流，开关混频级的输出端接入跨阻放大级的输入端；所述跨阻放大级采用交叉耦合正反馈结构将所述开关混频级输出的中频电流转换成中频电压输出；所述跨导放大级包括用作输入跨导管的第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4，用作偏置电阻的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4，以及用作耦合电容的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4；其中，第一NMOS管M1的栅极接输入射频电压信号正极VRF+和第一电阻R1的负端，其漏极接第三PMOS管M3的漏极，其源极接地；第二NMOS管M2的栅极接输入射频电压信号负极VRF‑和第二电阻R2的负端，其漏极接第四PMOS管M4的漏极，其源极接地；第一电阻R1和第二电阻R2的正端接偏置电压VBGM；第一电容C1的上极板接第一NMOS管M1的栅极，其下极板接第三PMOS管M3的栅极；第二电容C2的上极板接第二NMOS管M2的栅极，其下极板接第四PMOS管M4的栅极；第三PMOS管M3的栅极接第三电阻R3的负端，其漏极接第三电阻R3的正端，其源极接电源电压；第四PMOS管M4的栅极接第四电阻R4的负端，其漏极接第四电阻R4的正端，其源极接电源电压；第三电容C3的上极板接第一NMOS管M1的漏极，其下极板接所述开关混频级中的第五PMOS管M5的源极；第四电容C4的上极板第二NMOS管M2的漏极，其下极板接所述开关混频级中的第九PMOS管M9的源极。