[发明专利]梯度式高分子基中子吸收栅板材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410406078.3 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104228268A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 仇云龙;汪涛;汤晓斌 | 申请（专利权）人： | 中兴能源装备有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/18 | 分类号： | B32B27/18;B32B27/06;B32B27/38;B32B37/02;C08L79/08;C08L63/00;C08K13/06;C08K9/00;C08K9/06;C08K7/06;C08K3/22 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了梯度式高分子基中子吸收栅板材料，该材料包括快中子慢化吸收层、中能中子吸收层和热中子吸收层，三种吸收层梯度层压而成；快中子慢化吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氟化锂、氢化锂或碳化硼的吸收体材料；中能中子吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氧化钐的中子吸收体材料；热中子吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氧化钆或氧化镉的中子吸收体材料。本发明还公开了梯度式高分子基中子吸收栅板材料的制备方法，梯度式高分子基中子吸收栅板材料具有吸收效率高、寿命长、力学性能高、工艺简单等特点，而且对γ光子有一定的吸收效果，可用于乏燃料贮存与其他类型中子源，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 梯度 高分子 中子 吸收 板材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
梯度式高分子基中子吸收栅板材料，其特征在于：该材料包括快中子慢化吸收层、中能中子吸收层和热中子吸收层，三种吸收层梯度层压而成；所述快中子慢化吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氟化锂、氢化锂或碳化硼的吸收体材料；所述中能中子吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氧化钐的中子吸收体材料；所述热中子吸收层所掺杂的中子吸收体材料是氧化钆或氧化镉的中子吸收体材料。
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