[发明专利]薄膜晶体管及显示面板有效
| 申请号： | 201410406098.0 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105374880B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李冠锋;蒋国璋;颜子旻 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及显示面板，其包括栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极及沟道层。栅极电极配置于一基板上，沟道层与栅极电极电性绝缘，栅极绝缘层配置于栅极电极与沟道层之间。源极电极与漏极电极皆与沟道层电性连接。沟道层定义出接近栅极绝缘层的一侧的前沟道层、接近所述源极电极和所述漏极电极的一侧的背沟道层以及位于前沟道层与背沟道层之间的中间层，其中前沟道层的氧空位浓度大于中间层的氧空位浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，其包括：一栅极电极，配置于一基板上；一沟道层，与所述栅极电极电性绝缘；一栅极绝缘层，配置于所述栅极电极与所述沟道层之间；一源极电极，电性连接所述沟道层；以及一漏极电极，电性连接所述沟道层，其中所述沟道层定义出一接近所述栅极绝缘层的一侧的前沟道层、一接近所述源极电极和所述漏极电极的一侧的背沟道层以及一位于所述前沟道层与所述背沟道层之间的中间层，所述前沟道层的氧空位浓度大于所述中间层的氧空位浓度。
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