[发明专利]p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法无效
| 申请号： | 201410406410.6 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN104178730A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨铁莹;赵俊;李晓龙;高兴宇;薛超凡;吴衍青;邰仁忠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150-300℃，溅射功率为50-150W，工作气体为Ar气，气压为0.5-2.0Pa，气体流量为50-100sccm，相比现有先室温沉积再退火的技术，本制备方法简单易行，适合大规模生产，通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数，大大减少了薄膜内部缺陷，提高了空穴迁移率，大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率，再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材，通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管，可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能，由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点，可用作透明电子器件的基本元件。 | ||
| 搜索关键词： | sno 薄膜 及其 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型SnO薄膜的制备方法，其特征在于，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150‑300℃，溅射功率为50‑150W，工作气体为Ar气，气压为0.5‑2.0Pa，气体流量为50‑100sccm。
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