[发明专利]纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法

摘要

本发明涉及纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法。本发明是将半导体光催化剂颗粒或半导体光催化剂膜置于SiCl4和/或SiHCl3的工业粗品中，得到含有半导体光催化剂颗粒的悬浮光催化体系或含有半导体光催化剂膜的膜光催化体系，然后采用UV光源、可见光源或它们的混合光源进行光照，得到光照后的悬浮光催化体系或膜光催化体系，将光照后的悬浮光催化体系或膜光催化体系进行固液分离，可得到用于生产高质量石英光纤的SiCl4或SiHCl3纯品。得到的纯化后的SiCl4和/或SiHCl3，利用10cm光程的液槽测试其红外吸收，相对应的OH峰基本消失，相对应的饱和‑CH峰最大吸光度低于0.5。

主权项

一种纯化SiCl4和/或SiHCl3的粗品的液固相光催化净化方法，其特征是：所述的液固相光催化净化方法包括以下步骤：(1)将半导体光催化剂颗粒置于SiCl4和/或SiHCl3的工业粗品中，得到含有半导体光催化剂颗粒的悬浮光催化体系，其中，悬浮光催化体系中的半导体光催化剂颗粒的含量为0.1g/L～20g/L；或将半导体光催化剂膜，直接加入到SiCl4和/或SiHCl3的工业粗品中，得到含有半导体光催化剂膜的膜光催化体系，其中，膜光催化体系中的半导体光催化剂膜的含量为0.1g/L～50g/L；所述的半导体光催化剂颗粒选自金属氧化物颗粒、金属氧化物改性衍生的颗粒、硫化物颗粒和硫化物改性衍生的颗粒中的一种或几种；所述的半导体光催化剂膜选自金属氧化物膜、金属氧化物改性衍生的膜、硫化物膜和硫化物改性衍生的膜中的一种或几种；(2)将步骤(1)得到的悬浮光催化体系或膜光催化体系，在空气、N2、O2或H2反应气氛环境下，采用UV光源、可见光源或它们的混合光源进行光照1～24小时，且在光照过程中进行搅拌，得到光照后的悬浮光催化体系或膜光催化体系；(3)将步骤(2)得到的光照后的悬浮光催化体系离心分离，取出上清液，得到纯化的SiCl4和/或SiHCl3；或将步骤(2)得到的光照后的悬浮光催化体系加热蒸馏，冷凝后进行分离得到纯化的SiCl4和/或SiHCl3；或将步骤(2)得到的光照后的悬浮光催化体系进行过滤，取澄清滤液，得到纯化的SiCl4和/或SiHCl3；或将步骤(2)得到的光照后的膜光催化体系中的半导体光催化剂膜直接取出，得到纯化的SiCl4和/或SiHCl3。